前言：想要寫(xiě)出一篇令人眼前一亮的文章嗎？我們特意為您整理了5篇封裝工藝論文范文，相信會(huì)為您的寫(xiě)作帶來(lái)幫助，發(fā)現(xiàn)更多的寫(xiě)作思路和靈感。

封裝工藝論文范文第1篇

關(guān)鍵詞：工藝；自控儀表；電氣；安裝

分類號(hào)：TU758.7

計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)信息化發(fā)展提升了各個(gè)領(lǐng)域經(jīng)濟(jì)效益，而在集成化、智能化、數(shù)字化等方面自控儀表工藝取得前所未有的發(fā)展。自控儀表安裝施工程序如下：對(duì)施工圖與技術(shù)資料進(jìn)行了解、給予土建預(yù)留預(yù)埋作業(yè)配合、調(diào)校儀表單體、鋪設(shè)電纜管路、安裝電纜橋架、安裝控制箱盤、鋪設(shè)線纜、鋪設(shè)導(dǎo)壓管、安裝自控儀表等。

一 、自控儀表安裝工藝

1. 調(diào)校儀表單體

儀表到貨后，應(yīng)核對(duì)、檢查設(shè)備與裝箱清單上數(shù)量、規(guī)格、型號(hào)是否相符。安裝儀表前，根據(jù)說(shuō)明書(shū)要求，合格校驗(yàn)單體后進(jìn)行儀表安裝。以出廠使用說(shuō)明書(shū)為依據(jù)開(kāi)展校驗(yàn)試驗(yàn)，選用標(biāo)準(zhǔn)儀器的量程、精確度，試驗(yàn)所用電源、氣標(biāo)準(zhǔn)，連接線路、管路的原理等均需達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。試驗(yàn)工作人員應(yīng)對(duì)試驗(yàn)方法、試驗(yàn)項(xiàng)目等內(nèi)容明確。調(diào)校試驗(yàn)的情況應(yīng)真實(shí)反映在調(diào)校試驗(yàn)記錄中，調(diào)試儀表后，應(yīng)出具試驗(yàn)報(bào)告。按照設(shè)備本體與工藝系統(tǒng)圖，將調(diào)校合格的儀表清楚標(biāo)志、完好封裝，以備安裝。

2.鋪設(shè)電纜管路

電氣保護(hù)管的管口應(yīng)無(wú)銳邊、光滑，內(nèi)部應(yīng)無(wú)毛刺、清潔，外部應(yīng)無(wú)裂紋及變形。鋪設(shè)路徑應(yīng)按照控制點(diǎn)或測(cè)量點(diǎn)至控制盤間的電氣電纜、管道、設(shè)備的分布情況合理進(jìn)行選擇。應(yīng)按照電纜的安裝位置、型號(hào)、規(guī)格等來(lái)確定保護(hù)管的支架位置、鋪設(shè)位置、材質(zhì)以及管徑。保護(hù)管彎曲位置不應(yīng)有裂縫或凹坑，其彎曲半徑應(yīng)超過(guò)管外徑的六倍，彎曲角度應(yīng)小于90度。

3.安裝電纜橋架

根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際情況，按照各系統(tǒng)儀表設(shè)計(jì)更改圖或施工圖，應(yīng)預(yù)先規(guī)劃電纜橋架路徑，以防止管道、工藝設(shè)備等發(fā)生沖突。測(cè)量路徑，按施工設(shè)計(jì)安裝高度以及美觀整齊、橫平豎直、固定牢固等原則制作并安裝吊架、托臂、支架。電纜橋架的組對(duì)應(yīng)按分段的原則，平直連接，分段吊裝定位，橋架之間應(yīng)由跨接保護(hù)接地，同時(shí)連接接地網(wǎng)。

4.安裝導(dǎo)壓管

選擇管子及附件材料時(shí)，應(yīng)與設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)相符，為便于檢查及清理管線，附件及管子的連接應(yīng)方便拆裝。應(yīng)以1：10至1：15的比例確保儀表管路坡度。并確保傾斜處氣體凝結(jié)水的排出。安裝管子時(shí)，還需對(duì)管道沉降物、冷凝水的排放進(jìn)行考慮。為避免測(cè)量精度受管內(nèi)液體溫度變化的影響，其它高溫管路應(yīng)與測(cè)量液位管路保持一定距離。測(cè)量液位管路。應(yīng)將排氣閥安設(shè)于液體管路中；將集水器或排水閥安裝于管路最低處，以便含濕氣體的排出。全面檢查安裝完成的導(dǎo)壓管系統(tǒng)，如：可拆連接的嚴(yán)密性、管道及支架的可靠性與安全性、設(shè)置排放口的正確性等等。安裝完畢后，可開(kāi)展管道系統(tǒng)試壓，此時(shí)應(yīng)將靠近壓力變送器的閥門關(guān)閉。試壓完畢后，拆開(kāi)儀表管路2端閥門接頭，儀表管路內(nèi)部的吹掃采用壓縮空氣，同時(shí)對(duì)儀表管的連接進(jìn)行確認(rèn)與檢查。

5.安裝自控儀表

（1）安裝壓力表

以盤上安裝為例進(jìn)行介紹，在表孔內(nèi)緩慢裝入壓力表，找正后固定，在接頭中放入墊圈，擰緊接頭，注意壓力表與導(dǎo)壓管的連接。

（2）安裝變送器

用SC50鍍鋅鋼管制作差壓變送器與壓力變送器的支架，并將鋼管固定于就近位置，之后再鋼管上安裝差壓變送器與壓力變送器。為便于維護(hù)時(shí)將外殼揭開(kāi)、或調(diào)零，變送器頂部與調(diào)零側(cè)須留有一定距離。須將三閥組接于差壓變送器前面，而二次閥門須接在壓力變送器前面。變送器上絲扣螺紋須匹配于與變送器相連接的螺紋。在安裝差壓變送器時(shí)，應(yīng)先對(duì)安裝位置進(jìn)行查找，之后將變送器的支架固定在該位置上，于支架上固定變送器。將毛細(xì)管放開(kāi)，對(duì)好法蘭，先將2根螺栓穿上，再將另外的螺栓穿好、擰緊。為使變送器在具有粉塵或腐蝕性氣體的環(huán)境中得到保護(hù)，還必須試壓、沖洗、吹掃取壓管，之后連接差壓變送器與壓力變送器。變送器的安。

（3）安裝流量?jī)x

在無(wú)交直流電場(chǎng)干擾或強(qiáng)烈振動(dòng)的地方，按照說(shuō)明書(shū)要求控制前后4段的長(zhǎng)度。施工工藝管道時(shí)，應(yīng)將變送器發(fā)盤置于安裝處，找正、找平后將法蘭盤點(diǎn)焊住，待冷卻，將變送器安裝好。值得注意的是，安裝在立管上時(shí)，為使被測(cè)介質(zhì)流進(jìn)變送器，應(yīng)遵循垂直的原則。水平安裝電磁流量變送器時(shí)，應(yīng)墊穩(wěn)變送器，使2電極處于同一水平面。如果工藝管道與變送器電接觸不良，連接須采用金屬導(dǎo)線。安裝變送器時(shí)，應(yīng)將無(wú)襯里的金屬管道接于有絕緣襯里的工藝管道之間。為確保法蘭與接地環(huán)良好接觸，被測(cè)介質(zhì)與環(huán)內(nèi)邊緣發(fā)生接觸，變送器內(nèi)徑應(yīng)較接地環(huán)內(nèi)徑略大。變送器流向應(yīng)一致于被測(cè)介質(zhì)流向。當(dāng)管道試壓吹掃結(jié)束后，可先行拆下變送器，清洗后再裝上。

（4）安裝轉(zhuǎn)子流量

按照垂直安裝原則安裝轉(zhuǎn)子流量計(jì)，且用支架固定轉(zhuǎn)子流量計(jì)前后管段。如果玻璃管轉(zhuǎn)子流量計(jì)對(duì)介質(zhì)進(jìn)行測(cè)量時(shí)具有腐蝕性或溫度超過(guò)70攝氏度的情況下，應(yīng)考慮加裝防護(hù)罩。

（5）安裝分析儀表與盤上儀表

分析儀表的安裝必須滿足避免服飾氣體、劇烈的溫度變化、防止高溫、無(wú)強(qiáng)磁場(chǎng)干擾、無(wú)振動(dòng)、易于維護(hù)操作、干燥、可靠安全、光線充足等安裝條件。單獨(dú)安裝預(yù)處理裝置的同時(shí)，應(yīng)盡量縮短取樣管線，并盡可能與傳送器貼近。安裝盤上儀表時(shí)，應(yīng)注意其邊緣光滑度，抽出、推進(jìn)儀表時(shí)避免過(guò)于松或過(guò)于緊。儀表安裝在盤內(nèi)框架上應(yīng)方便維護(hù)和接線，并且接地良好。須清楚、正確盤上儀表的銘牌、標(biāo)志牌等。

二、處置施工中常見(jiàn)問(wèn)題

常見(jiàn)問(wèn)題與處置方法如下：①未正確顯示差壓、壓力，這是由于變送器選型與安裝位置出現(xiàn)差錯(cuò)。處置方法：當(dāng)變送器取壓點(diǎn)較變送器安裝位置低時(shí)，進(jìn)行正遷移；變送器安裝位置低于變送器取壓點(diǎn)時(shí)，進(jìn)行負(fù)遷移。②測(cè)壓、測(cè)溫不標(biāo)準(zhǔn)，這是由于施工未嚴(yán)格按照?qǐng)D紙要求和規(guī)范進(jìn)行，插入的溫度計(jì)過(guò)淺、或者過(guò)于深所致。處置方法：在安裝測(cè)壓、測(cè)溫部件之前，測(cè)壓位置應(yīng)嚴(yán)格按照儀表規(guī)范來(lái)確定，以管道的50%為基準(zhǔn)判定溫度計(jì)插入深度，建議測(cè)壓位置遠(yuǎn)離三通、彎頭、以及閥門處。③測(cè)定流量缺乏穩(wěn)定性，在連接差壓變送器與取壓管時(shí)，噴嘴或孔板方向上反，正負(fù)錯(cuò)位所致。處置方法：在連接差壓送變器與取壓管時(shí)，應(yīng)對(duì)其正負(fù)進(jìn)行核對(duì)、確認(rèn)后在進(jìn)行操作。在安裝噴嘴或孔板時(shí)，必須在對(duì)噴嘴或孔板安裝方向與關(guān)內(nèi)流向進(jìn)行確定后進(jìn)行操作。④二次儀表未顯示，連接端子與線頭時(shí)，端子被絕緣層壓住，造成閉合回路不通。處置方法：在結(jié)束線纜施工后，絕緣測(cè)試線纜，并校對(duì)標(biāo)號(hào)線纜，端子中插入線纜頭時(shí)應(yīng)防止端子被絕緣層壓住，且插入深度適宜。⑤管內(nèi)堵塞，施工前未清理干凈取壓管內(nèi)部。處置方法：進(jìn)行施工前，應(yīng)預(yù)先用空壓機(jī)吹掃取壓管，待清理干凈后，再進(jìn)行安裝。⑥氣動(dòng)、電動(dòng)薄膜調(diào)節(jié)閥閉、開(kāi)不到位，出現(xiàn)閉、開(kāi)超過(guò)極限，或者管內(nèi)滲漏，頂壞閥體、閥桿或者閥芯。處置方法：對(duì)行程開(kāi)關(guān)進(jìn)行合理的調(diào)整。

三、結(jié)束語(yǔ)

自控儀表工藝及施工中逐漸運(yùn)用了集成化、智能化、數(shù)字化技術(shù)，本文對(duì)自控儀表的安裝工藝與施工種常見(jiàn)問(wèn)題進(jìn)行總結(jié)，并針對(duì)其問(wèn)題進(jìn)行處理。特別在安裝自控儀表一節(jié)中，詳細(xì)地介紹了壓力表、變送器、流量?jī)x、電子流量、分析儀表與盤上儀表等步驟，最后提出針對(duì)性措施。

參考文獻(xiàn)

[1]禹?yè)P(yáng)，余國(guó)平，朱雀，文鵬. 石油化工裝置中自控儀表工程施工流程的質(zhì)量控制 [期刊論文].電源技術(shù)與應(yīng)用，2012（9）.

封裝工藝論文范文第2篇

關(guān)鍵詞： 柔性顯示；組裝；引線鍵合；覆晶；異向?qū)щ娔z

中圖分類號(hào)：TN141 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：B

1 柔性顯示背景分析與發(fā)展前景

1.1 背景分析

近半個(gè)世紀(jì)來(lái)，電子信息技術(shù)的發(fā)展對(duì)日常生活的影響有諸多案例，但其中顯示技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)的日常生活的變革是最顯而易見(jiàn)的。

從首臺(tái)基于動(dòng)態(tài)散射模式的液晶顯示器（liquid crystal display，LCD）（約為上世紀(jì)70年代），到目前LCD電視的普及、3D電視的熱潮，顯示技術(shù)的發(fā)展顛覆了我們對(duì)傳統(tǒng)陰極射線管（cathode ray tube，CRT）顯示器的認(rèn)知。2012年1～5月，液晶電視銷售額為1，331.9萬(wàn)臺(tái)，占彩電銷售總額（1，470萬(wàn)臺(tái)）的90.6%（數(shù)據(jù)來(lái)源：視像協(xié)會(huì)與AVC），可以毫不夸張地說(shuō)，目前已經(jīng)是液晶電視的天下。與傳統(tǒng)的CRT顯示技術(shù)相對(duì)比，液晶顯示技術(shù)的顯著優(yōu)點(diǎn)已廣為人知，不用贅述。

隨著電子技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)逐步成為日常生活的必須品，而將更多顯示元素引入家庭和個(gè)人環(huán)境是未來(lái)顯示技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，目前基于此類的研究正在逐步進(jìn)行（如飛利浦、索尼、通用已經(jīng)開(kāi)始相關(guān)技術(shù)的研發(fā)）。但是剛性、矩形、基于玻璃基板的顯示器件已經(jīng)顯示出不能滿足設(shè)計(jì)者對(duì)外形的需求，設(shè)計(jì)人員更趨向于選擇一種可彎曲、可折疊，甚至可以卷曲的顯示器件。

與此同時(shí)，對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)的要求不斷提升，電子產(chǎn)品被要求能承受更多次的“隨機(jī)跌落試驗(yàn)”。而實(shí)驗(yàn)證明基于剛性玻璃基板的顯示器件在試驗(yàn)中極易損壞，所以在引入全新設(shè)計(jì)理念的過(guò)程中，具有輕薄、不易碎、非矩形等特性的“概念產(chǎn)品”被普遍認(rèn)為“具有不一般的對(duì)市場(chǎng)的高度適應(yīng)性”。

在產(chǎn)品外形方面，與傳統(tǒng)顯示器相比，柔性顯示器具有更結(jié)實(shí)、更輕薄、樣式新穎的特點(diǎn)，而這些特點(diǎn)對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)師和最終用戶都極具吸引力。

在制造商方面，柔性顯示器生產(chǎn)時(shí)，可以采用新型印刷或者卷繞式工藝進(jìn)行生產(chǎn)，運(yùn)輸成本相對(duì)低廉，使得制造商具有進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本的潛力。

在潛在安全性方面，當(dāng)柔性顯示器破裂時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生可能導(dǎo)致人員受傷的鋒利邊緣，因此相對(duì)剛性顯示器而言，柔性顯示器無(wú)疑更加安全。

1.2 柔性顯示的發(fā)展前景

由于柔性顯示技術(shù)具有獨(dú)特的技術(shù)特點(diǎn)，與現(xiàn)有顯示技術(shù)相比具有一定的先進(jìn)性，所以普遍認(rèn)為，在某些市場(chǎng)中，柔性顯示具有潛在的替代優(yōu)勢(shì)，同時(shí)，柔性顯示技術(shù)更具開(kāi)拓全新應(yīng)用領(lǐng)域的潛力（如軍方將柔性顯示應(yīng)用于新式迷彩服，而這個(gè)領(lǐng)域傳統(tǒng)剛性顯示器件是很難涉及的）。柔性顯示器是一種具備良好的市場(chǎng)前景的新技術(shù)，目前用于生產(chǎn)柔性顯示器的顯示技術(shù)有十多種，包括傳統(tǒng)的液晶、有機(jī)發(fā)光顯示（organic light-emitting diode，OLED）、電致變色、電泳技術(shù)等等，據(jù)估計(jì)全球約有數(shù)百家公司正在或即將開(kāi)始柔性顯示的研發(fā)。

可以認(rèn)為，柔性顯示技術(shù)的發(fā)展將為顯示技術(shù)領(lǐng)域注入革命性的創(chuàng)新動(dòng)力。

2 現(xiàn)有組裝技術(shù)的分析

2.1 組裝技術(shù)概述

作為柔性顯示重要部件之一的驅(qū)動(dòng)芯片，如何與柔性顯示器件相連接是一個(gè)值得研究的課題。無(wú)論何種顯示技術(shù)，最終的顯示畫(huà)面依賴于驅(qū)動(dòng)芯片給顯示介質(zhì)（例如液晶，發(fā)光二極管等）提供其所需的信號(hào)（電壓信號(hào)或電流信號(hào)）。已有的芯片組裝和封裝方式有很多種成熟的方案，但在柔性顯示器芯片組裝時(shí)，最主要考慮的因素有以下幾點(diǎn)：

（1）組裝制程中的壓力和溫度；

（2）組裝方式的可靠度（包括物理連接可靠度和電性能的可靠度）；

（3）組裝中能達(dá)到的最小管腳距離（Pin pitch）和最高管腳數(shù)量。

就目前主流的芯片與目標(biāo)介質(zhì)的組裝技術(shù)宏觀上可以分為如下4類（由于TFT-LCD的驅(qū)動(dòng)芯片與目標(biāo)介質(zhì)組裝技術(shù)比較特殊，所以單獨(dú)歸為一類）：

第一類，微電子封裝技術(shù)，是指將晶圓（Wafer）切割后的Chip做成一種標(biāo)準(zhǔn)的封裝形式的技術(shù)。

第二類，微電子表面組裝技術(shù)（Surface Mount Technology，簡(jiǎn)稱SMTc），是指將封裝后的芯片（IC）成品組裝到目標(biāo)介質(zhì)上的技術(shù)。

第三類，裸芯片組裝（Bare Chip Assembly），是指將晶圓切割后的Chip直接組裝到目標(biāo)介質(zhì)上的技術(shù)。

第四類，液晶顯示器（TFT-LCD）領(lǐng)域特有的芯片封裝和組裝技術(shù)（COF/TCP封裝和ACF bonding技術(shù)）。

下面將逐一介紹各類組裝技術(shù)。

2.2 微電子封裝技術(shù)

對(duì)于電子設(shè)備體積、重量、性能的期盼長(zhǎng)久以來(lái)一直是促進(jìn)電子技術(shù)發(fā)展的源動(dòng)力，而在微電子領(lǐng)域，對(duì)芯片面積減小的期望從未停歇（從某種程度上講，芯片的面積決定芯片的成本價(jià)格），在莫爾斯定律的效應(yīng)下，芯片電路的集成度以10個(gè)月為單位成倍提高，因此也對(duì)高密度的封裝技術(shù)不斷提出新的挑戰(zhàn)。

從早期的DIP封裝，到最新的CSP（Chip scale package）封裝，封裝技術(shù)水平不斷提高。芯片與封裝的面積比可達(dá)1：1.14，已經(jīng)十分接近1：1的理想值。然而，不論封裝技術(shù)如何發(fā)展，歸根到底，都是采用某種連接方式把Chip上的接點(diǎn)（Pad）與封裝殼上的管腳（Pin）相連。而封裝的本質(zhì)就是規(guī)避外界負(fù)面因素對(duì)芯片電路的影響，當(dāng)然，也為了使芯片易于使用和運(yùn)輸。

以BGA封裝形式為例，通常的工藝流程如圖3所示。

通常的工藝流程是首先使用充銀環(huán)氧粘結(jié)劑將Chip粘附于封裝殼上，然后使用金屬線將Chip的接點(diǎn)與封裝殼上相應(yīng)的管腳連接，然后使用模塑包封或者液態(tài)膠灌封，以保護(hù)Chip、連接線（Wire bonding）和接點(diǎn)不受外部因素的影響。

另外隨著芯片尺寸的不斷縮小，I/O數(shù)量的不斷增加，有時(shí)也會(huì)使用覆晶方式（Flip Chip）將芯片與封裝殼連接。覆晶方式是采用回焊技術(shù)，使芯片和封裝殼的電性連接和物理連接一次性完成，目前也有在裸芯片與目標(biāo)介質(zhì)的組裝中使用覆晶方式。

2.3 微電子表面組裝技術(shù)

微電子表面組裝技術(shù)（surface mount technolo gy，SMTc，又稱表面貼片技術(shù)），一般是指用自動(dòng)化方式將微型化的片式短引腳或無(wú)引腳表面組裝器件焊接到目標(biāo)介質(zhì)上的一種電子組裝技術(shù)。

表面組裝焊接一般采用浸焊或再流焊，插裝元器件多采用浸焊方式。

浸焊一般采用波峰焊技術(shù)，它首先將焊錫高溫熔化成液態(tài)，然后用外力使其形成類似水波的液態(tài)焊錫波，插裝了元器件的印刷電路板以特定角度和浸入深度穿過(guò)焊錫波峰，實(shí)現(xiàn)浸焊，不需要焊接的地方用鋼網(wǎng)保護(hù)。波峰焊最早起源于20世紀(jì)50年代，由英國(guó)Metal公司首創(chuàng)，是20世紀(jì)電子產(chǎn)品組裝技術(shù)中工藝最成熟、影響最廣、效率最明顯的技術(shù)之一。

表面貼片元器件多使用再流焊技術(shù)，它首先在PCB上采用“點(diǎn)涂”方式涂布焊錫膏，然后通過(guò)再流焊設(shè)備熔化焊錫膏進(jìn)行焊接。再流焊的方法主要以其加熱方式不同來(lái)區(qū)別，最早使用的是氣相再流焊，目前在表面組裝工藝中使用最為廣泛的是紅外再流焊，而激光再流焊在大規(guī)模生產(chǎn)中暫時(shí)無(wú)法應(yīng)用。再流焊中最關(guān)鍵的技術(shù)是設(shè)定再流曲線，再流曲線是保證焊接質(zhì)量的關(guān)鍵，調(diào)整獲得一條高質(zhì)量的再流焊曲線是一件極其重要但是又是極其繁瑣的工作。

2.4 裸芯片組裝技術(shù)

裸芯片組裝是指在芯片與目標(biāo)介質(zhì)的連接過(guò)程中，芯片為原始的晶圓切片形式（Chip），芯片沒(méi)有經(jīng)過(guò)預(yù)先的封裝而直接與目標(biāo)介質(zhì)連接。常用的封裝形式為COB（Chip On Board）形式。

COB方式一般是將Chip先粘貼在目標(biāo)介質(zhì)表面，然后采用金屬線鍵接的方式將Chip的接點(diǎn)與目標(biāo)介質(zhì)上相應(yīng)的連接點(diǎn)相連接。完成后Chip、金屬連接線、目標(biāo)介質(zhì)上的連接點(diǎn)均用液態(tài)膠覆蓋，用以隔離外界污染和保護(hù)線路。

裸芯片組裝還有另一種方式，即覆晶方式。覆晶方式是指在Chip接點(diǎn)上預(yù)先做出一定高度的引腳，然后使用高溫熔接的方式，使引腳與目標(biāo)介質(zhì)相應(yīng)位置結(jié)合，形成電性的連接。與傳統(tǒng)方式相比，覆晶方式不需要使用金屬線進(jìn)行連接。TFT-LCD驅(qū)動(dòng)芯片常用的TCP/COF封裝使用的即是覆晶方式，但是由于TCP/COF封裝應(yīng)用領(lǐng)域的特殊性，所以沒(méi)有將其歸入裸芯片封裝技術(shù)中，而是單獨(dú)劃為一類。

2.5 液晶顯示器領(lǐng)域特有的芯片封裝和組裝形式

由于TFT-LCD顯示電路的特殊性，要求驅(qū)動(dòng)芯片提供更多的I/O端口，所以一般情況下TFT-LCD驅(qū)動(dòng)芯片封裝多采用TCP（Tape Carrier Package）方式，或者COF（Chip On Film）方式，芯片與TFT-LCD顯示面板連接多采用ACF（Anisotropic Conductive Film）壓合粘接的方式。

TCP/COF多使用高分子聚合材料（PI ，polyimide）為基材，在基材上采用粘接或者濺鍍（Spatter）方式使之附著或形成銅箔，然后使用蝕刻方式（Etching）在銅箔上制作出所需要的線路、與Chip連接的內(nèi)引腳（ILB Lead，ILB：Inner Lead Bonding）、與TFT-LCD顯示電路連接的外引腳C（OLB Lead-C，OLB：Outer Lead Bonding）、和外部目標(biāo)介質(zhì)（多為PCB板）連接的外引腳P（OLB Lead-P，OLB：Outer Lead Bonding），最后在所有引腳表面附著一層焊錫。

Chip的接點(diǎn)為具有一定高度的金突塊（Au Bump），在與Chip連接（Assembly）時(shí)，Chip的接點(diǎn)與TCP/COF上的內(nèi)引腳通過(guò)高溫高壓形成金-錫-銅合金，從而達(dá)到電性導(dǎo)通的目的，然后使用液態(tài)膠灌封。而在與外部目標(biāo)介質(zhì)——TFT-LCD顯示電路連接時(shí)，則采用另一種組裝方式——ACF壓合粘接方式（AFC bonding）。

ACF膠結(jié)構(gòu)類似于雙面膠，膠體內(nèi)富含一定密度的導(dǎo)電粒子（Conductive Particle），導(dǎo)電粒子為球狀，外部為絕緣材料，內(nèi)部為導(dǎo)電材料。當(dāng)導(dǎo)電粒子受到外部壓力破裂時(shí)，內(nèi)部導(dǎo)電材料露出，多個(gè)破裂的導(dǎo)電粒子連接，可形成電性通路。由于導(dǎo)電粒子破裂時(shí)僅受到垂直方向的壓力，加之芯片相鄰接點(diǎn)距離遠(yuǎn)大于導(dǎo)電粒子直徑，因此，破裂的導(dǎo)電粒子產(chǎn)生的電性鏈路具有垂直方向?qū)щ姡椒较虿粚?dǎo)電的特性?；谠摲N特性，ACF膠能使TCP/COF封裝形式的芯片每根外引腳在水平方向上互相絕緣，不致形成短路，而在垂直方向又能與目標(biāo)介質(zhì)實(shí)現(xiàn)電性導(dǎo)通。由于ACF膠加熱固化后具有很強(qiáng)的粘合力，所以形成電性導(dǎo)通的同時(shí)，可以使COF/TCP與目標(biāo)介質(zhì)實(shí)現(xiàn)物理連接。

TCP/COF封裝形式能支持高達(dá)數(shù)千的I/O引腳數(shù)，因此在TFT-LCD驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

當(dāng)然，隨著成本因素的影響日漸增加，另一種方式COG（Chip On Glass）也應(yīng)運(yùn)而生。與TCP/COF方式唯一的不同點(diǎn)在于，COG方式不需要PI基材，而是使用ACF壓合粘接方式，直接將Chip與TFT-LCD顯示電路連接，因此會(huì)更加節(jié)省成本。由于在組裝中芯片是晶圓切片形式，所以COG技術(shù)也可以認(rèn)為是一種裸芯片組裝技術(shù)。

3 柔性顯示驅(qū)動(dòng)芯片組裝方安提出

3.1 柔性顯示動(dòng)芯片組裝方案概述

基于上述介紹，可將芯片與目標(biāo)介質(zhì)連接的技術(shù)做如下歸類：

第一類為使用金屬線形成電性連接，該種形式多用在常規(guī)的芯片和封裝殼組裝、裸芯片COB封裝，可將其歸納為Wire bonding方式。

第二類為芯片和目標(biāo)介質(zhì)采用焊接的方式形成電性連接，電子表面組裝技術(shù)，裸芯片覆晶方式多使用該種技術(shù)形式，可將其歸納為焊接方式。

第三類為TFT-LCD芯片組裝中經(jīng)常使用的ACF膠壓合連接方式，可將其歸納為ACF bonding方式。

按照上述分類，擬依照不同技術(shù)背景，制定不同的芯片與目標(biāo)介質(zhì)連接方案，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)芯片與柔性顯示基材的電性連接。

具體方案如下：

方案1：采用Wire bonding方式。

方案2：采用Flip Chip方式。

方案3：采用ACF bonding方式。

需要指出，提出方案時(shí)，只討論理論上該方案的可行性，并沒(méi)有對(duì)該種方案是否具有投入實(shí)際生產(chǎn)的可行性做出判斷和論述。

下面將具體討論三種方案的優(yōu)劣。

3.2 Wire bonding方案

目前Wire bonding技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)步驟如下：

首先，在晶圓制程后期使用電鍍方式將Chip的連接點(diǎn)做成金突塊；同時(shí)，目標(biāo)介質(zhì)上的引線（Lead）上也使用鍍金技術(shù)使其附著一定厚度的金；然后使用Wire bonding設(shè)備將金屬線的一端熔接（采用超聲波或高溫熔接方式）在金突塊上，另一端采用相同的方式熔接在目標(biāo)介質(zhì)的Lead上，從而實(shí)現(xiàn)電性的導(dǎo)通。由于金具有良好的延展性和良好的導(dǎo)電性，所以，在Wire bonding的過(guò)程中，一般使用高純度金線（99.99%）。當(dāng)然，目前在一些極低端應(yīng)用中出于成本的考慮，或者在SOC（System On Chip）/SOP（System On Package）封裝中出于保密的需求，會(huì)在某些沒(méi)有高頻信號(hào)和大電流信號(hào)的連接管腳上使用鋁線或者銅線進(jìn)行Wire bonding。

在柔性顯示中使用Wire bonding方案的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)同樣明顯。

首先，金是良好的導(dǎo)體，所以在使用金線鍵接時(shí)無(wú)需擔(dān)心傳輸線RC/RH效應(yīng)對(duì)高頻率信號(hào)傳輸造成的影響；同時(shí)，也不需過(guò)多考慮大電流信號(hào)在傳輸過(guò)程中由于傳輸線本身電阻造成的電壓降效應(yīng)和熱效應(yīng)；其次，采用COB方式可以將芯片直接固定在柔性基材上，省去芯片封裝的成本。

但是，Wire bonding的劣勢(shì)也同樣明顯，第一，一般只有在金含量較高的連接點(diǎn)上才能實(shí)現(xiàn)金線和Lead/Pad的熔接；第二，Wire Bonding要求目標(biāo)介質(zhì)能承受一定壓力且不能有太大形變；第三，Wire Bonding要求目標(biāo)介質(zhì)能承受較高溫度；第四，Wire bonding受Wire bonding設(shè)備精度的限制，以BGA封裝為例，一般I/O數(shù)量為500以內(nèi)的芯片使用Wire bonding的方式，I/O數(shù)量增高，勢(shì)必會(huì)使單個(gè)芯片連接點(diǎn)的尺寸減小，而在I/O數(shù)超過(guò)500以上時(shí)，芯片接點(diǎn)的尺寸會(huì)使Wire bonding的成功率大幅下降，而目前的顯示技術(shù)恰恰又要求驅(qū)動(dòng)芯片提供更多的I/O數(shù)目。

所以，綜合分析上述各種因素，只有在低分辨率金屬材質(zhì)（如用金屬箔為基材的柔性顯示）的柔性顯示方案中才有可能采用Wire bonding的方式進(jìn)行芯片和柔性基材的鍵接。因此，作為一種連接技術(shù)，Wire bonding技術(shù)可以使用在柔性顯示中，但是受到Wire bonding技術(shù)自身的制約，它在柔性顯示中的應(yīng)用會(huì)受到不小的限制。

3.3 覆晶方式

覆晶封裝方式的應(yīng)用十分廣泛，由于覆晶方式可以節(jié)省Wire bonding的金線成本，同時(shí)芯片與封裝殼的距離更近，可以保證高頻信號(hào)具有良好的信號(hào)品質(zhì)，所以被大量使用在對(duì)信號(hào)品質(zhì)要求較高的CPU芯片封裝中。傳統(tǒng)封裝形式，芯片的最高工作頻率為2～3GHz，而采用覆晶方式封裝，依照不同的基材，芯片的最高工作頻率可達(dá)10～40GHz。

覆晶方式的基本做法是在芯片上沉積錫球，然后采用加溫的方式使得錫球和基板上預(yù)先制作的Lead連接，從而實(shí)現(xiàn)電性連接。可以這樣認(rèn)為，覆晶方式是焊接方式的提升。

應(yīng)用覆晶方式實(shí)現(xiàn)柔性基材和驅(qū)動(dòng)芯片的連接有其獨(dú)特之處。首先，芯片與柔性基材直接連接，從電性上考慮，該方式由于省略了封裝中的信號(hào)傳輸線，所以可以降低芯片管腳上雜訊的干擾，而從成本角度考慮，由于使用裸芯片，該方式可以節(jié)約芯片的封裝成本；其次，當(dāng)芯片晶背（Chip backside）減薄到一定程度后（例如將Chip晶背研磨至13μm時(shí)，Chip可以彎折，如圖6所示），Chip會(huì)呈現(xiàn)一定程度的柔性，可以在一定程度上實(shí)現(xiàn)與顯示基材同步的柔性彎曲。

與Wire bonding方式相比，覆晶方式會(huì)有其成本上的先天優(yōu)勢(shì)（不需使用金屬線鍵接），但是覆晶方式也存在一些問(wèn)題。

覆晶方式中會(huì)使用錫球工藝，目前出于綠色環(huán)保考慮，微電子表面焊接技術(shù)中大量使用無(wú)鉛焊錫，無(wú)鉛焊錫的熔點(diǎn)約在200℃以上。而在柔性顯示基材的各種方案中，一般具有良好彎折特性的柔性基材多為有機(jī)材料，有機(jī)柔性基材所要求的制程溫度范圍一般在150℃以內(nèi)，超過(guò)200℃的高溫會(huì)對(duì)柔性顯示基材造成不可逆的損傷。所以，柔性基材不耐高溫的特性與覆晶技術(shù)中需要使用的高溫制程存在一定的矛盾。因此，我們可以推測(cè)，覆晶方式在柔性顯示的應(yīng)用領(lǐng)域會(huì)受到其制程溫度的限制。

綜上所述，覆晶方式多應(yīng)用于柔性電路板（Flexible Print circuit）與芯片連接或者PCB板直接與芯片連接。當(dāng)然，在能夠耐受高溫的柔性基材上使用覆晶方式實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)芯片與柔性基材的連接也極為可行。

3.4 ACF bonding方式

ACF bonding是目前TFT-LCD領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)芯片和顯示基板連接最常用的方式，可以將裸芯片或者TCP/COF封裝形式的芯片通過(guò)ACF膠與目標(biāo)介質(zhì)實(shí)現(xiàn)電性連接以及物理連接。

ACF膠連接方式中，ACF膠電阻率變化曲線依賴于導(dǎo)電粒子密度、導(dǎo)電膠厚度、寬度以及導(dǎo)電膠的固化溫度。本文沒(méi)有設(shè)計(jì)具體實(shí)驗(yàn)測(cè)量導(dǎo)電膠電阻率的實(shí)際曲線，參考相關(guān)文獻(xiàn)，導(dǎo)電膠的電阻率約為5×10-4Ω×cm。而基于TFT-LCD Array線路本身帶給驅(qū)動(dòng)芯片的負(fù)載遠(yuǎn)大于導(dǎo)電膠引入負(fù)載的事實(shí)，以及驅(qū)動(dòng)芯片輸出信號(hào)對(duì)電容類負(fù)載比電阻類負(fù)載更為敏感的特性，可以認(rèn)為，ACF bonding方式的電阻率的非線性變化不會(huì)為顯示電路引入太多負(fù)面因素。而在TFT-LCD中大量使用ACF bonding方式的事實(shí)更能說(shuō)明ACF bonding方式的電性能和可靠度是可以接受的。

其次，由于TFT-LCD分辨率的增加，驅(qū)動(dòng)芯片所需的I/O數(shù)量也隨之增加。目前主流的Driver IC已可以提供多于1，000 channel的輸出I/O。I/O數(shù)量的增加直接導(dǎo)致Chip中接點(diǎn)尺寸和管腳間距（Pitch）的減小，而導(dǎo)電膠中導(dǎo)電粒子的直徑遠(yuǎn)小于Chip接點(diǎn)的尺寸，同時(shí)，ACF膠能提供的最小Bonding pitch約為10μm，足以滿足驅(qū)動(dòng)芯片的需求。所以在支持I/O數(shù)量和小管腳間距方面，ACF bonding具有巨大的優(yōu)勢(shì)。

再次，由于使用金屬箔和薄化玻璃為基材制成的柔性顯示器只能實(shí)現(xiàn)有限的“柔性”，所以目前柔性顯示器基材更傾向于使用柔性更佳的有機(jī)材料。以PET/PEN為例，其耐溫性與傳統(tǒng)剛性顯示基材相比較差，僅為120℃左右。而傳統(tǒng)的Wire bonding和覆晶方式在組裝過(guò)程中需要較高的溫度，故該兩項(xiàng)技術(shù)在柔性基材上的應(yīng)用受到制程溫度的極大限制。而ACF bonding方式的組裝溫度取決于ACF膠本壓過(guò)程中使用的ACF膠固化溫度，固化溫度會(huì)影響最終成品的物理特性，但對(duì)電性的影響較為有限（圖7 所示為ACF膠在不同溫度/壓力下的電阻變化曲線）。

目前，索尼和3M已經(jīng)有低于150℃的ACF膠出售（約為140℃），而PET/PEN可以短時(shí)間耐受150℃的高溫，所以，使用低溫ACF膠連接驅(qū)動(dòng)芯片和顯示基材成為可能。相比上述前兩種方式，ACF bonding方式具有工藝簡(jiǎn)單、適用范圍廣的特點(diǎn)，所以就目前而言，ACF bonding應(yīng)該是柔性顯示驅(qū)動(dòng)芯片與顯示基材連接的最佳方式。

4 結(jié) 論

通過(guò)比較基于不同技術(shù)背景的各種組裝技術(shù)方案，綜合考慮柔性顯示基材的物理特性，ACF bonding方式以其在制程溫度上的低溫特性相比其它兩種方案更具優(yōu)勢(shì)。客觀的說(shuō)，各種組裝技術(shù)均有其各自的技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域，而目前柔性顯示基材的物理特性限制了組裝技術(shù)的選擇。我們期待新型柔性顯示基材的面世，能給柔性顯示組裝方式帶來(lái)更大的選擇空間。

本文僅在理論層面探討用于柔性顯示屏的驅(qū)動(dòng)芯片連接技術(shù)實(shí)現(xiàn)，未對(duì)用于柔性顯示屏的驅(qū)動(dòng)芯片連接技術(shù)應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)中的可行性進(jìn)行討論。

參考文獻(xiàn)

[1] Nicole Rutherford. Flexible Substrates and Packing for Organic Display and Electronics[J]. Advanced Display， Jan/Feb 2006： 24-29.

[2] 3M. Anisotropic Conductive Film Adhesive 7303. 3M Web.

[3] 3M. Anisotropic Conductive Film 7376-30. 3M Web.

[4] Prof. Jan Vanfleteren （Promotor）. Technology Development and Characterization for Interconnecting Driver Electronic Circuitry to Flat-Panel Displays.

[5] Shyh-Ming Chang， Jwo-Huei Jou， et al. Characteristic Study of Anisotropic-conductive Film for Chip-on-Film Packaging. Microelectronics Reliability.

[6] 陳黨輝. 微電子組裝用導(dǎo)電膠長(zhǎng)期可靠性的研究[D]. 西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文.

[7] 肖啟明，汪 輝. 焊球植球凸塊工藝的可靠性研究[J].封裝、測(cè)試與設(shè)備，第35卷，第12期： 1190-1212.

封裝工藝論文范文第3篇

【關(guān)鍵詞】阻隔；包裝；環(huán)保；復(fù)合

引言

近年來(lái)，高阻隔膜材料因阻隔性能優(yōu)異，且成本低廉、使用方便、透明度好、印刷適應(yīng)性強(qiáng)、機(jī)械性能好等優(yōu)點(diǎn)，在市場(chǎng)上廣泛應(yīng)用于食品、藥品、化學(xué)品等產(chǎn)品包裝，電子器件封裝及燃料電池隔膜等領(lǐng)域，并飛速發(fā)展。

優(yōu)異的阻隔性是高阻隔膜材料的重要特性，包含良好的阻氣性、阻濕性、阻油性、保香性等。早期的阻隔膜材料以乙烯-乙烯醇共聚物（EVOH），聚酰胺（PA），聚偏二氯乙烯（PVDC），聚乙烯醇（PVA）等薄膜為代表。隨著食品飲料、醫(yī)療、化學(xué)品等領(lǐng)域產(chǎn)品強(qiáng)勁的需求推動(dòng)，對(duì)包裝阻隔性的要求也越來(lái)越嚴(yán)格，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出多種性能優(yōu)異的高阻隔膜材料，包含多層聚合物復(fù)合膜，真空蒸鍍復(fù)合膜，聚合物/層狀納米復(fù)合膜等，本文就各種高阻隔膜材料的阻隔性能、生產(chǎn)技術(shù)和應(yīng)用發(fā)展等進(jìn)行總結(jié)和分享。

1.多層聚合物復(fù)合膜

由于各種聚合物在性能方面各有其優(yōu)勢(shì)和弱點(diǎn)，單一聚合物膜材料很難滿足眾多產(chǎn)品對(duì)多功能性的要求，因此利用多層薄膜復(fù)合技術(shù)，將兩種及以上的單一聚合物薄膜進(jìn)行復(fù)合形成多層聚合物復(fù)合膜，使各種聚合物性能優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，不僅能提高膜材料的阻隔性能，還可改善熱封性、耐熱性、機(jī)械性能、抗紫外線性能等其他性能。目前研究發(fā)展的多層膜復(fù)合技術(shù)主要有共擠出復(fù)合、涂布復(fù)合、自組裝復(fù)合等。

1.1共擠出復(fù)合膜

共擠出復(fù)合膜是利用多臺(tái)擠出機(jī)對(duì)各聚合物進(jìn)行加熱熔融，通過(guò)一個(gè)多流道復(fù)合機(jī)頭共擠出生產(chǎn)的多層復(fù)合薄膜。共擠出復(fù)合技術(shù)主要用于具有相容性的熱塑性聚合物復(fù)合，不使用溶劑，環(huán)境污染小，生產(chǎn)工序少，生產(chǎn)成本低，在薄膜生產(chǎn)企業(yè)中得到廣泛應(yīng)用。

目前共擠出復(fù)合膜材料取得新的研究進(jìn)展，汪若冰等[1]以聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、尼龍6（PA）、乙烯-乙烯醇共聚物（EVOH）四種聚合物作為原料進(jìn)行熔融共擠，制備五層復(fù)合膜材料，其中EVOH和PA6為復(fù)合膜的阻隔層，PE為復(fù)合膜的熱封層。五層共擠復(fù)合膜具備高阻隔性和良好的力學(xué)性能，是理想的高阻隔包裝材料。梁曉紅等[2]將EVOH與PE、PA共混改性，制備PE/PA/EVOH/PA強(qiáng)韌性高阻隔復(fù)合膜，綜合性能優(yōu)異，具有良好的應(yīng)用前景。

1.2涂布復(fù)合膜

涂布復(fù)合膜是將阻隔性聚合物溶解在溶劑中形成涂布液，利用涂布設(shè)備將涂布液涂布于基膜表面，干燥熟化后形成的多層復(fù)合膜。涂布復(fù)合技術(shù)可用于難以單獨(dú)加工成膜的聚合物，如PVDC， PVA等，工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，阻隔性能好，但可能有有機(jī)溶劑殘留，造成環(huán)境污染。

目前涂布復(fù)合膜研究取得了很多新進(jìn)展，桑利軍等[3]在PP、PE、CPP（流延聚丙烯）、PET（聚酯）薄膜上涂布2-4um PVDC的復(fù)合薄膜，其透氣性和透濕性顯著降低，應(yīng)用于制造藥品復(fù)合包裝袋。舒心等[4]以雙向拉伸PP、雙向拉伸PET、雙向拉伸PA或PE等薄膜作為基膜，經(jīng)電暈處理后，將改性丙烯酸酯類聚合物BARILAYER高阻隔涂布液涂布于基膜電暈面，經(jīng)5-6小時(shí)的室內(nèi)40-50℃完全干燥熟化后，在涂層面印刷，再?gòu)?fù)合一層聚烯烴薄膜，最后得到新型高阻氧性塑料軟包裝薄膜，產(chǎn)品原料易得，價(jià)格低廉，阻隔性優(yōu)于PVDC，且不受相對(duì)濕度影響，BARILAYER可降解，燃燒僅產(chǎn)生CO2和H2O，具有環(huán)保創(chuàng)新性。

1.3逐層自組裝（Layer-by-Layer）復(fù)合膜

逐層自組裝復(fù)合膜是特定聚合物、量子點(diǎn)、納米粒子、生物分子等，在互補(bǔ)性相互作用下（靜電相互作用、氫鍵結(jié)合，配位鍵和、共價(jià)結(jié)合等）交替沉積形成的多層復(fù)合膜。通過(guò)改變沉積周期、PH、溫度、分子量、離子強(qiáng)度等條件，獲得性能優(yōu)異的復(fù)合膜材料，廣泛應(yīng)用于阻燃、抗菌、氣體阻隔等。

當(dāng)前逐層自組裝復(fù)合膜也取得了新的研究進(jìn)展，F(xiàn)angming Xiang等[5]將聚丙烯酸（PAA）和聚環(huán)氧乙烷（PEO）通過(guò)氫鍵結(jié)合作用，逐層自組裝制備韌性氣體阻隔復(fù)合膜，當(dāng)調(diào)整PH為3時(shí)， PAA/PEO雙分子層自組裝20層形成高阻隔復(fù)合膜，涂覆于1.58mm厚天然橡膠片上，使得天然橡膠片的氧氣透過(guò)率降低89.6%，阻氧性優(yōu)異，且氫鍵結(jié)合強(qiáng)度弱于離子鍵合，制得的高阻隔復(fù)合膜具有一定韌性，適合高應(yīng)變應(yīng)用。Chungyeon Cho等[6]將聚醚酰亞胺PEI，PAA，PEO進(jìn)行逐層自組裝沉積，通過(guò)PEI/PAA離子鍵合作用和PAA/PEO氫鍵結(jié)合作用，形成PEI/PAA/PEO/PAA復(fù)合膜，當(dāng)調(diào)整PH為3，PEI/PAA/PEO/PAA四分子層自組裝20層形成高阻隔韌性復(fù)合膜，涂覆于1mm厚聚氨酯橡膠片，使得聚氨酯橡膠片的氧氣透過(guò)率降低93.3%，適用于輪胎等充氣用品的氣體阻隔。

1.4其他復(fù)合膜

除上述多層膜復(fù)合技術(shù)外，研究還采用逐層澆鑄復(fù)合、化學(xué)接枝復(fù)合、共混擠出復(fù)合等創(chuàng)新方法，制備阻隔性能優(yōu)異的多層聚合物復(fù)合膜。

董同力嘎等[7]采用逐層澆鑄法制備三層可降解左旋聚乳酸PLLA/聚乙烯醇PVA/左旋聚乳酸PLLA復(fù)合膜，其中中間層PVA為阻隔層，兩側(cè)疏水性的PLLA為保護(hù)層。PVA阻隔層顯著提高了PLLA的阻隔性，當(dāng)PVA含量占復(fù)合膜比重20%時(shí)，阻氧性較PLLA單膜提高了272倍，同時(shí)力學(xué)性能也有所提升。PLLA/PVA/PLLA復(fù)合膜實(shí)際應(yīng)用性更強(qiáng)，且完全符合環(huán)境友好型復(fù)合膜的開(kāi)發(fā)趨勢(shì)。

Yuehan Wu等[8]將殼聚糖CS接枝到氧化纖維素OC基體上，化學(xué)接枝過(guò)程改變了基體微觀結(jié)構(gòu)，OC/CS復(fù)合膜兼具兩種聚合物的性能優(yōu)勢(shì)，具有優(yōu)異的阻水阻氧性、抗菌性、高透明性和良好的機(jī)械性能，是安全、可生物降解、性能優(yōu)異的包裝材料。

呼和等[9，10]將EVOH與PA6進(jìn)行共混擠出后制備丙烯酸乙基己酯EHA薄膜，再與PE膜復(fù)合，得到EHA/PE復(fù)合膜，研究證明，EHA薄膜阻氧性能很高，EHA/PE復(fù)合膜的阻水阻氧性能優(yōu)于PA膜、EVOH膜和PA6/PE復(fù)合膜，適用于冷藏保鮮包裝。

2.真空蒸鍍復(fù)合膜

利用真空鍍膜工藝將金屬（如鋁Al）或者無(wú)機(jī)氧化物（如氧化硅SiO2，氧化鋁Al2O3，氧化鈦TiO2）蒸鍍?cè)谒芰夏け砻?，制備真空鍍鋁膜或真空蒸鍍陶瓷膜，阻隔性能優(yōu)異、生產(chǎn)效率高、成本低廉、使用方便，廣泛應(yīng)用于食品包裝，甚至電子產(chǎn)品封裝領(lǐng)域。陶瓷膜透光率高且綠色環(huán)保，是目前高阻隔膜研究熱點(diǎn)。

齊小晶等[11]利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在聚己內(nèi)酯（PCL）膜基材表面蒸鍍SiOx層，可以提高薄膜的阻隔性能，且不受溫度濕度影響，同時(shí)符合開(kāi)發(fā)環(huán)境友好型材料的需求。

趙子龍等[12]經(jīng)等離子化學(xué)氣相沉積法在PLLA薄膜表面上沉積SiOx層，并利用溶液涂布法在SiOx層上涂覆PVA層，制備新型PLLA/SiOx/PVA復(fù)合膜，其阻隔性能與PA/PE復(fù)合膜相似，柔韌性也得到改善，加上可生物降解的環(huán)保優(yōu)勢(shì)，可替代PA/PE復(fù)合膜應(yīng)用于食品包裝領(lǐng)域，前景十分可觀。

朱琳等[13]采用射頻磁控共濺射的方法在PP基底膜表面蒸鍍TiNx/CFy薄膜，TiNx的體積分?jǐn)?shù)為0.28時(shí)，復(fù)合薄膜的阻隔性能和柔韌性能最好，解決了傳統(tǒng)陶瓷膜的裂紋問(wèn)題。

3.聚合物/層狀無(wú)機(jī)物納米復(fù)合膜

聚合物/層狀無(wú)機(jī)物納米復(fù)合膜是將能形成納米尺寸結(jié)構(gòu)微區(qū)的層狀無(wú)機(jī)填料分散到聚合物中，形成納米復(fù)合膜。填料的納米片層結(jié)構(gòu)可以阻擋氣體滲入，提高材料氣密性，顯著改善聚合物的阻透性能。目前層狀納米填料如蒙脫土（MMT）、層狀雙氫氧化物（LDHs）和石墨烯（GNSs）以其獨(dú)特結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能，成為備受關(guān)注的研究前沿和熱點(diǎn)。

Ray Cook等[14]利用熵增原理制備自組裝高度有序有機(jī)/無(wú)機(jī)納米復(fù)合膜，使用噴墨打印機(jī)，將0.1-0.2%體積分?jǐn)?shù)的聚乙烯吡咯烷酮（PVP）水溶液打印為聚合物膜層，將0.2wt%體積分?jǐn)?shù)的MMT分散液打印為納米層，聚合物層和納米層通過(guò)離子鍵合自組裝為PVP/MMT雙分子膜層，當(dāng)在PET基體上打印5層PVP/MMT雙分子膜層后，阻氧性能優(yōu)于高阻隔性金屬PET，且具有高透明性，又安全環(huán)保，在食品包裝領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。

張思維等[15]以氧化解壓多壁碳納米管的方法，制備氧化石墨烯納米帶（GONRs），然后用異氟爾酮二異氰酸酯（IPDI）對(duì)GONRs進(jìn)行化學(xué)修飾制得功能氧化石墨烯納米帶（IP-GONRs）。采用溶液成形的方法在涂膜機(jī)上制備功能氧化石墨烯納米帶（IP-GONRs）/熱塑性聚氨酯（TPU）復(fù)合薄膜。當(dāng)IP-GONRs含量為3.0wt%，TPU氧氣透過(guò)率降低67%，阻隔性能明顯提高，在食品包裝和輕量氣體存儲(chǔ)器領(lǐng)域存在潛在應(yīng)用。

豆義波等[16]采用簡(jiǎn)易抽濾成膜法，制備柔性透明聚乙烯醇（PVA）/水滑石（LDH）復(fù)合自支撐薄膜，該復(fù)合膜良好的二維有序結(jié)構(gòu)有效抑制了氧氣擴(kuò)散，提升了薄膜阻氧性能，在阻隔性要求極高的電子器件封裝及原料電池隔膜等領(lǐng)域有較好的前景。

總結(jié)

當(dāng)前，在食品、藥品、化學(xué)品產(chǎn)品的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求推動(dòng)下，包裝膜材料持續(xù)快速發(fā)展，產(chǎn)品對(duì)膜材料的要求更高，要求開(kāi)發(fā)高阻隔性、保鮮性、耐熱性、抗菌性等多功能性膜材料，其中高阻隔膜材料發(fā)展迅速。同時(shí)隨著資源越來(lái)越緊缺和人們環(huán)保意識(shí)增強(qiáng)，開(kāi)發(fā)環(huán)境友好高阻隔膜材料也成為熱點(diǎn)。未來(lái)幾年，我們應(yīng)當(dāng)繼續(xù)將高阻隔膜材料作為研究開(kāi)發(fā)重點(diǎn)，縮短與國(guó)外高阻隔膜技術(shù)差距，滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)發(fā)展需求。

參考文獻(xiàn)

[1]汪若冰，馮乙巳.五層共擠阻隔薄膜的結(jié)構(gòu)、性能、工藝及表征[J].安徽化工，2015， 41（6）： 31-35.

[2]梁曉紅，呼和，王羽，等.乙烯-乙烯醇共聚物復(fù)合膜的力學(xué)、熱學(xué)及阻隔性能研究[J].塑料科技，2015， 43（6）： 21-24.

[3]桑利軍，王敏，陳強(qiáng)，等.聚乙烯薄膜表面沉積納米SiOx涂層的阻隔性能[J].中國(guó)表面工程， 2015， 28（3）： 36-41.

[4]舒心，周海平.新型高阻氧性包裝薄膜[J].塑料包裝，2015， 25（6）： 22-25.

[5]Fangming Xiang， Sarah M Ward， Tara M Givens， et al. Super Stretchy Polymer Multilayer Thin Film with High Gas Barrier[J]. Macro Letters， 2014， 3： 1055-1058.

[6]Chungyeon Cho， Fangming Xiang， Kevin L. et al. Grunlan. Combined Ionic and Hydrogen Bonding in Polymer Multilayer Thin Film for High Gas Barrier and Stretchiness[J]. Macromolecules， 2015， 48： 5723-5729.

[7]董同力嘎，王爽爽，孫文秀，等.多層復(fù)合聚乳酸薄膜的阻隔性和力學(xué)性能[J].高分子材料科學(xué)與工程， 2015， 31（8）： 177-181.

[8]Yuehan Wu， Xiaogang Luo， Wei Li， et al. Green and biodegradable composite ?lms with novel antimicrobial performance based on cellulose[J]. Food Chemistry， 2016， 197： 250-256.

[9]呼和，梁曉紅，王羽，等. EHA/PE薄膜的阻隔性及其在冷鮮肉包裝中的應(yīng)用[J].塑料工業(yè)， 2015， 43（6）： 66-69.

[10]王羽，云雪艷，張曉燕，等. EHA/PE高阻隔復(fù)合膜對(duì)鮮切萵筍保鮮效果的影響[J]. 食品工業(yè)科技， 2015， 36（22）： 308-312.

[11]齊小晶，宋樹(shù)鑫，梁敏，等. PCL/SiOx復(fù)合膜的熱學(xué)、力學(xué)及阻隔性能[J].塑料工業(yè)， 2015， 43（9）： 113-116.

[12]趙子龍，王羽，，云雪艷，等.高阻隔性PLLA薄膜的制備及其對(duì)冷鮮肉保鮮效果的研究[J].食品科技， 2015， 40（11）： 89-95.

[13]朱琳，王金武，劉壯，等. PP基材表面磁控共濺射制備新型阻隔薄膜的研究[J]. 包裝工程， 2015， 36（9）： 73-76.

[14]Ray Cook， Yihong Chen， Gary W Beall. Highly Ordered Self-Assembling Polymer/Clay Nanocomposite Barrier Film[J]. Applied Materials & Interfaces， 2015， 7： 10915-10919.

[15]張思維，趙文譽(yù)，李長(zhǎng)，等.功能氧化石墨烯納米帶/熱塑性聚氨酯復(fù)合材料薄膜的制備及阻隔性能[J].高分子材料科學(xué)與工程， 2016， 32（1）： 151-157.

[16]豆義波，潘婷，劉曉西，等.聚乙烯醇/水滑石復(fù)合薄膜的制備及其氧氣阻隔性能研究[C].中國(guó)化學(xué)會(huì)第九屆全國(guó)無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集――D無(wú)機(jī)材料化學(xué)， 2015.